CF741是国产第二代集成运算放大器，采用双列直插式外形封装。它的管脚顺序是：管脚向下，标志于左，序号自下而上逆时针方向排列。 管脚功能如下：８脚为空；７脚接正电源（+９~+１８Ｖ）；６脚为输出端；１、４、５脚接调零电位器；４脚接负电源（-９~-１８Ｖ）；３脚为同相输入端（输出信号与输入信号同相位）；２脚为反相输入端（输出信号与输入信号反相位）。

F004运放是国产第一代集成运算放大器。它采用圆壳式封装外形，其管脚排序是：管脚向上，序号自标志起从小到大按顺时针方向排列。 管脚功能如下： 脚7接正电源（+15）V，脚4接负电源（-15）V，脚6为输出端， 脚1、4、8接调零电位器，脚3为同相输入端，脚2为反相输入端，脚5、6之间的300k电阻及RP、CP的作用是消除自激，可通过调试决定数值。

97A6是1A/600V双向可控硅，在调光电路、灯光控制、温度控制等电路中广泛应用。该可控硅耐压高达600V，可以直接应用于220V控制电路，最大工作电流为1A，可以控制100W以下电阻性的负载。 97A6双向可控硅的管脚功能如图所示，它采用TO-92封装，外形和普通小功率三极管一样。 字面朝自己，管脚向下，从左至右依次是第一阳极T1，门极G，第二阳极T2

3CT501可控硅采用TO-92封装，外形尺寸、管脚排列如下图： 3CT501可控硅参数 断态重复峰值电压V DRM =500V 反向重复峰值电压V RRM =500V 通态平均电流I T(AV) =1A 通态不重复浪涌电流I TSM =10A 控制极平均功率P G(AV) =0.1W 通态峰值电压V TM =1.7V (I T =1A) 维持电流I H =5mA (V D =6V) 控制极触发电流I GT1 =5~250A 控制极触发电压V GT1 =0.5~0.8V

7809固定电压稳压集成电路是正电压三端线性稳压器，输出电压9V，电流1A。 特征 *输出电流高达1.5A *固定输出电压9V， *过热关机保护 *短路电流限制 *输出晶体管SOA的保护 7809三种封装外形及其管脚排列： 7809三端稳压集成电路内部电路示意图： 7809最高输入电压不可超过35V，否则烧毁集成块；输入输出最小压差不可低于2V，否则稳压性能劣化。

9014三极管（TO-92封装）管脚图 １、发射极２、基极３、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM ＝0.4W（Tamb=25℃） 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

该SG3909是一个专门设计的发光二极管闪烁单片振荡器。通过使用定时电容实现电压提升，使工作电压可在1.5V以下，输出脉冲可驱动1个或多个发光二极管闪光。SG3909采用8引脚塑料微型DIP封装，其引脚排列如图： SG3909管脚排列 SG3909自身功耗很低，在3V额定电压下，可提供高达6V的输出电压驱动任何型号的LED。SG3909外接的定时电容器为电解电容，它决定了SG3909输出脉冲的频率。 SG3909部分特性： 工作电源电压1.15V~6V 静态电流：0.55mA LED驱动电流峰

9015是硅PNP型小功率晶体三极管，与9014可组成对管。9015采用TO-92封装，它的外形和管脚排列如图： 9015三极管的主要参数： 集电极-基极最大反向耐压：50V 集电极-发射极最大反向耐压：45V 基极-发射极最大反向耐压：5V 集电极最大允许电流：100mA 集电极最大耗散功率：0.45W 最高工作结温：150℃ 贮藏温度范围：-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流：0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流：0.05A (V BE =-5V

MOC3041是光电耦合器。内部包括一只砷化镓红外发光二极管和单片硅探测器，构成双向可控硅过零触发驱动程序，用于逻辑控制电路系统，如固态继电器，工业控制，电机，电磁铁和消费类电子产品等。 光电耦合器MOC3041管脚功能 1 。阳极 2 。阴极 3 。空 4 。输出１ 5 。空 6 。输出２

2SC3358是NPN型小功率高频三极管，采用TO-50四脚微带封装。它的管脚排列如下： 从长脚开始，顺时针数１２３４ １脚：集电极；２脚：发射极；３脚：基极；４脚：发射极 2SC3358参数 集电极-基极最高耐压V CBO =20V 集电极-发射极最高耐压V CEO =12V 发射极-基极最高耐压V EBO =3V 集电极最大允许电流I CM =100mA 最大允许功耗P CM =250mW 最高结温Tj=150℃ 特征频率fT=7.0GHz 噪声系数NF=2.0dB (VCE=10V

CW7800系列三端固定稳压器输出电压规格 型 号 输出电流(A) 输出电压(V) 78L00 0.1 5、6、9、12、15、18、24 78M00

LR745是一个宽范围输入电压PWM开关电源启动电路三端集成元件，它有两种封装，其外形和管脚排列如下： TO-243AA管脚排列： １：输入；２(TAB)：地；３：输出 TO-92管脚排列： １：输入；２：地；３：输出 主要参数： 输入电压范围：25V~450V 输入静态电流：500A 输出电压：18.8V~24V 输出电流：2~4mA LR745方框图： LR745可以应用于电脑电源、电信设备电源、充电器、电机控制器等。

１. 判别管型和基极（ｂ极）： 根据晶体管Ｐ－Ｎ结正向电阻小、反向电阻大的特点，可以判别管子的基极和管子的类型（是ＰＮＰ型还是ＮＰＮ型）。把万用表拨到R１００或R１Ｋ的档上，先假设管子的一根管脚为基极，用万用表的红表笔接基极，黑笔分别接另外两个管脚，若万用表指针指示的电阻值均较少，则红表笔所接的是要找的基极，而且是ＰＮＰ型的管子；再将红、黑表笔对调（即用黑表笔接基极，红笔分别接另外两个管脚），这时若测量得到的电阻值均较大，则上述假设的基极是正确的。如果红表笔接基极，按上述的方法测量得到的电阻

9012是硅PNP型低频小功率三极管，与9013可组成对管。 集电极电流Ic：Max -500mA 工作温度：-55℃ to +150℃ 集电极-基极电压Vcbo： -40V 三极管9012管脚图 介绍:emitter是发射极 collector是集电极 base是基极 〈贴片9012管脚图资料〉

MJE13002是高压高速开关三极管，国产同类型号为3DD13002。它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图： 尺寸单位：毫米 管脚排列 １脚：发射极； ２脚：集电极； ３脚：基极 MJE13002(3DD13002)主要参数 V CBO =600V V CEO =400V V EBO =7V I C =1A P C =1.2W T j =150℃ T STG =-55~150℃ I CBO =

MJE13006、MJE13007是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，适用于开关稳压器、电子变压器、电机控制等功率开关电路。MJE13006/13007采用TO-220外形封装，管脚排列如图所示 管脚排列：１.基极；２.集电极；３.发射极 MJE13006/13007的极限值参数 ： 集电极-基极电压V CBO ：MJE13006: 600V；MJE13007: 700V 集电极-发射极电压V CEO ：MJE13006: 300V；MJE13007: 400V 发射极-基极电压V

编码解码芯片PT2262/PT2272芯片原理简介 PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路，PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出，可用于无线遥控发射电路。 编码芯片PT2262发出的编码信号由：地址码、数据码、同步码组成一个完整的码字，解码芯片PT2272接收到信

BISS0001是一款高性能的传感信号处理集成电路。静态电流极小，配以热释电红外传感器和少量外围元器件即可构成被动式的热释电红外传感器。广泛用于安防、自控等领域能。 特 点 CMOS工艺 数模混合 具有独立的高输入阻抗运算放大器 内部的双向鉴幅器可有效抑制干扰 内设延迟时间定时器和封锁时间定时器 采用16脚DIP封装 管脚图 管脚说明 引脚 名称 I/O 功能说明 1 A I 可重复

PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路，PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出，可用于无线遥控发射电路。 编码芯片PT2262发出的编码信号由：地址码、数据码、同步码组成一个完整的码字，解码芯片PT2272接收到信号后，其地址码经过两次比较核对后，VT脚才输出高电平，与

LM1875音频功率放大集成电路有TO-220-5和TO-220B两种封装形式，如下图： 管脚功能： LM1875双电源应用电路： LM1875单电源应用电路： LM1875最高工作电源电压为60V（30V），使用中不可超过此电压。在50V电源电压、负载阻抗8、失真＝1%时，输出功率为25W。

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管，采用TO-92封装，其外形和管脚排列如图所示： １脚：发射极E； ２脚：基极B； ３脚：集电极C 2N5551主要参数： 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2N6578达林顿功率开关三极管主要应用于开关电路、功率放大电路中。采用TO-3 (TO-204AA)的封装，其外形和管脚区分见附图。2N6578具有100~20000的直流电流放大倍数(HFE)，视工作状况而不同，如下所列： 放大倍数：工作条件 200： IC = 0.4A VCE = 3V 2000-20000： IC = 4.0A VCE = 3V 500-5000： IC = 10A VCE = 3V 100： IC = 15A VCE = 4V 2N6578极限参数： VCBO 120

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN（三肯）公司生产的音响对管，其中2SA2151为硅PNP型三极管，2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装，外形和管脚排列如下： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数： 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13001主要参数： 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管，主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13003主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO ＝9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

3DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

3DD153 是低频大功率晶体三极管，硅材料 NPN 型，管芯采用扩散平面工艺，其封装和管脚排列如下： 3DD153按其耐压不同分为９个档次 主要参数： BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

3DD4515是大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装，外形和管脚排列如图： １脚：基极B； ２脚：集电极C： ３脚：发射极E 3DD4515 主要参数： 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO ：700 V 集电极-发射极电压V CEO ： 400 V 发射极-基极电压V EBO ： 9 V 集电极电流I C ： 15 A 集电极

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管，可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点，采用TO-92MOD封装，其外形和管脚排列如图所示： 3DG2383(2SC2383)极限参数：(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示： 3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下： 耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃) 最大集电极电流I CM =20mA 最高结温T JM =175℃ 集电极-基极反向击穿电压BV CBO ： (IC=100A) 3DG6A30V; 3DG6B45V; 3DG6