电子爱好者

KA3S0880RFB是韩国三星公司生产的开关电源厚膜集成电路。KA3S0880RFB集成电路内部设有振荡,同步及过流、过压、过热保护电路。其集成块的典型应用电路如图所示。 KA3S0880RFB集成块的典型应用电路 KA3S0880RFB集成块引脚功能及数据 KA3S0880RFB集成电路采用5脚单列直插式封装,其集成电路的引脚功能及数据见表所列。

2010-1-7

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFC9024 IR P -60 IRFC9034 IR P -60

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFIP140 IR N 100 23 100 Iso TO-247 IRFIP150 IR N 100

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFP341 IR N 350 10 150 TO-247AC IRFP342 IR N 400

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF634 IR N 250 8.1 75 TO-220AB IRF635 IR N 250

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF9Z10 IR P -50 -4.7 20 TO-220AB IRF9Z12 IR P -50 -4 20

2009-3-14

这是100W逆变器电路。它采用CD4047芯片和IRF540场效应管代替2N3055晶体管。输出功率100W。变压器初级220伏,次级18伏中心抽头(双9伏),初次级颠倒使用。

2014-5-19

保险电阻在电路中起着保险丝和电阻的双重作用,当电路中发生短路、过流等故障时,具有保护电路中重要元器件防止故障扩大的功能。它们一般以低阻值(几欧姆至几十欧姆),小功率(1/8~1W)为多,其功能就是在过流时及时熔断,保护电路中的其它元器件免受损坏。 型 号 额定功率(W) 标称阻值() 阻值误差(%) 绝缘电压(V) 稳定度(%) 温度系数(10-6/℃) RF-10 0.25 0.47-1K 5

2009-5-17

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

2009-4-12

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装:TO-251 材料:N-FET 用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm:50V 极限电流Im:15A 耗散功率P:42W 导通电阻Rds:0.1 开关时间:83/39 国内外相似型号:J1025(A); MTD10N05EL

2009-4-21

这个电路类似于前文的一个,但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管,如IRF530,540,640,等等。较小的MOSFET可以使用,但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640,IRFZ44,IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点,只需要几个元件,电源首次接通继电器总是停用状态,并且不需要任何开关去抖。 在操作中,当继电器被去激活时,100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时,电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压(栅极电压)在约200毫秒将从

2014-3-17

这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制(PWM)电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET,正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路,正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流,IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET,如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至

2014-3-3

这个RF功率放大器是基于晶体管2SC1970及2N4427。输入功率为30-50mW的情况下输出功率约为1.3W。它会得到更远发射距离的RF信号。要调整这个放大器你可以使用功率计,驻波比检测也可以使用射频场强仪。我建议你使用一个很好的50欧姆的电阻作为假负载。 射频放大器电路 射频系统良好的接地是很重要的。请确保晶体管不至于过热,在我的情况下我把2SC1970靠近PCB处理热量。 以下是你要焊接的部件在电路板的实际位置。元件采用表面安装,所以铜面是在顶层。我相信你仍然可以使用穿孔方法安装组件。

2014-5-14

这是一个6米波段发射机RF功率放大器(50兆赫),100W的输出。它曾经与我的FT-736R和10W驱动为6米SSB DX。信息来自日本CQ杂志。东芝射频双极功率晶体管被用在了电路中。如果你想构建该RF放大器,使用双面印刷电路板是更好的办法,增加了接地和当前的传输功率,发射功率可以调整到120W。 射频功率放大器原理图 射频功率放大器(功率晶体管2SC2782,频率50MHz)外观 射频功率放大器右视 射频功率放大器俯视 射频功率放大器左视 射频放大器的参数: 输入功率:10W 输出功率:100

2014-5-14

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培,使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培(2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)或80安培(4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行,下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动,充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

2014-1-23

本文介绍的电视发射机,可将卫星电视接收机、VCD、录像机等输出的音频、视频信号以开路方式发射出去,用室外天线接收信号。适合单位、学校、厂矿等自办节目用,当使用折合振子天线发射时,覆盖距离800米。 整机电路如图所示(点击图片放大)。PC1507是TV射频调制器专用电路,选用同频点的SAW振子,可将音视频信号调制成TV1~12频道的RF信号。IC1输出的RF(射频)信号经过滤波网络A1(见图2)滤除残边信号及次波信号之后,由C15耦合到射频功率放大电路进行放大发射出去。SAW振子是一种性能

2008-11-13

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

2008-10-25

一、 半波整流电路 图1 图1是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B、整流二极管D和负载电阻Rfz组成。变压器把市电电压变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。 下面从图2的波形图上看看二极管是怎样整流的。 图2 变压器次级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图2(a)所示。在0~时间内,e2 为正半周即变压器上端为正下端为负。此时整流二极管承受正向电压而导通,e2 通过它加在负载电阻Rfz上,在~2 时间内,e2 为负半周,变压器

2008-5-17

家用电源线的选用正确与否,不但直接影响到各种家用电器的使用效果与寿命,还关乎每个家庭的生命财产安全,因此有必要懂得家用电源线的正确选用。 常见的家用电源线有RVB—70型聚氯乙烯绝缘平行软线和双绞软线、RVZ—70型聚氯乙烯绝缘/护套软线、RFB/RFS型丁腈聚氯乙烯复合物绝缘平行软线和双绞软线、RHF型氯丁橡胶软线等。不同的家用电器,应使用不同的电源线。 上述各型导线的芯线均为多股铜线,标称截面积为0.2—2.5mm2不等。一般照明灯、收录机、电视机用的一体化插头线,以选择RVB—70、RVZ

2009-2-9

通常,人们试图通过可变电阻器或可变电阻器连接到一个晶体管来控制直流电动机的转速。而后者的做法效果很好,它会产生热量,从而浪费电力。这个简单的脉宽调制直流电机控制消除了这些问题。它通过驱动马达用的短脉冲来控制电动机的速度。这些脉冲变化的持续时间来改变电机的速度。该脉冲时间越长,速度越快,反之速度越慢。 配件 R11兆1/4W电阻 R2100K电位器 C10.1uF的25V瓷片电容 C20.01uF 25V瓷片电容 Q1MOSFET IRF511 IRF620 U14011 CMOS与非门 S1双

2014-3-6

这是一台150W调频发射机放大器,88-108MHz频段。该放大器有两个放大阶段,使用BLF244场效应晶体管的第一阶段,需要0.5-1瓦RF输入功率,以获取约20瓦特输出功率,驱动最后放大阶段的SD1407可以获取接近200瓦的输出功率。这样的设计或更多或更少的宽带,我添加两个可变电容器在每个阶段获得最佳匹配。确保最后阶段SD1407后的微调和电容器是一种高电压类型,至少200V。在此放大器的电源可以通过使用电位器到BLF244场效应调节偏置电压而变化。我添加了一个齐纳二极管上的偏置电源,以保

2014-5-14

该项目用于将功率微弱的调频发射机RF信号连接一个强大的射频放大器构建1W的调频发射机。对于那些希望聆听他们喜爱的音乐在汽车,房子,花园,学校,校园,宴会的完美解决方案,你的名字....为什么不跟每个人都在你的城市分享您的音乐! 1W射频功率放大器电路图 1W射频功率放大器PCB 1W射频功率放大器组件 今天,它是非常受欢迎的到iPod,MP3或CD播放器连接到某种调频发射机。发射信号可以被拾起任何调频收音机接收器,最经常使用的是汽车。与大多数FM发射器的问题是,它们有非常微弱的信号和短的传输距

2014-5-14

RF放大器是用于提高小型FM发射器的发射距离。它使用两个飞利浦2N4427,其功率约为1瓦。在输出端可以驱动任何线性与BGY133或BLY87等。其电源必须给500mA电流在12伏。更多的电压可以增加距离,但晶体管将被烧毁比平时早得多!在任何情况下不超过15V。该放大器提供15分贝为80MHz到110 MHz。L4,L5,L6是直径5mm空气线圈,8匝,用1毫米线。

2014-5-14

该调频发射电路采用四射频阶段:晶体管BF494(T1)构成甚高频振荡器,晶体管BF200(T2)是前置放大,晶体管2N2219(T3)是驱动级,晶体管2N3866(T4)是功率放大级。电容式麦克风连接在振荡器的输入端,用语音调制振荡器频率。 1瓦调频发射机电路简单。当你靠近麦克风说话,频率调制信号在振荡器晶体管T1的集电极获得。 振荡器输出的FM信号由VHF前置放大器和预驱动级进行放大。您还可以使用晶体管2N5109代替2N2219。前置放大器是一个调谐A类RF放大器,驱动级是一个C类放大器。

2014-5-14

下面是一个简单的电视发射机。该电路简单,真的很粗糙,但它确实包含单声道声音。我还没有表现出这两个监管机构图中。这些指的是12V直流1A系列稳压芯片,和一个8V的直流1A系列稳压器。我从12V的稳压器的输出馈送的8V稳压器。该电路的其余部分看起来是这样的。它是一个自由运行的可变频率振荡器(VFO)只使用一个线圈和一个电容,以确定频率。改变这种随你便。的基本电路使用150PF从RF晶体管到地的基极,从而使TR2工作作为共基极模式(基极接地)放大器。该调谐电路在集电极和从收集器中的电容器到发射极提供调

2014-5-15

下面所示的30瓦甚高频放大器能够将4-6瓦的输入功率提升到30瓦。该电路设计覆盖88-108MHz的调频广播频段。然而,电路在我的地方非常稳定,电路经过多级滤波器提供了一个干净的输出信号。 注意事项: 该电路的核心是2SC1946A甚高频射频功率晶体管。该晶体管是专门用于运行在设计频率高达175 MHz的,有很好的效果。 该放大器工作电流可以超过5安培。所有的线圈是由16gauge层合导线制成(或镀银铜线就能做到最好)和RFC可以是高频环形铁心的(如图所示),或6孔铁氧体bead.C3和R1构

2014-5-7

描述 电磁场探针设计用于检测变化的电场和磁场。该探头有米的输出和耳机插孔以及。 电路笔记 该测试仪的目的是找出杂散电磁(EM)场。它会很容易地检测音频信号和RF信号高达约100kHz的频率,不过,该电路是不是一个金属探测器,但将检测金属布线,如果它进行交流电流。频率响应从50Hz到10kHz左右的增益由150P电容,探头电缆的运算放大器和输入电容的增益被轧断。立体声耳机可以被用来监视音频频率在插座,SK1。 建设初探 我使用了一个径向型电感屏蔽电缆通过笔管螺纹为50cm。该电缆可以用于,如果需

2014-5-8

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器,1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS(ON)的场效应管(MOSFET)是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器,采用N沟道MOSFET的IRF 540,直流12V输出,输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供,电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出,MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

2014-5-13

AM发射机电路 电路图 附注: 该电路将声音发射到调幅(AM)频率在中波段。 该电路有两个部分,一个音频放大器和RF振荡器。该振荡器是围绕Q1和相关部件的。电路中L1和C1谐振频率约500kHz到1600KHZ。 Q2是共发射极放大器,C5去耦发射极电阻,这个阶段实现全增益。麦克风是驻极体电容式麦克风,4.7K电位器P1改变AM调制幅度。 天线不是必要的,但也可以使用30cm的导线接在集电极,以增加发射器的范围。

2013-11-12

该LM4809是双声道音频功率放大器,由5V电源供电时能够提供每声道105mW的连续平均功率到16负载,失真0.1 %(THD + N)。LM4809功耗低,外接元件少,适合低功耗的便携式系统。LM4809功设有微功率停机模式的外部控制端,以及内部过热停机保护功能。可以配置外部增益设定电阻。 如图所示为LM4809用于双声道耳机放大器的典型电路。左右声道音频信号分别输入LM4809的2、6 脚,经过内部放大器放大后分别由1、7脚输出,经耦合电容Co加到各自声道的扬声器上,放大器增益Av=Rf

2009-5-18

 ……

电子爱好者 DIANZIAIHAOZHE.COM