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该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器,1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS(ON)的场效应管(MOSFET)是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器,采用N沟道MOSFET的IRF 540,直流12V输出,输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供,电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出,MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

2014-5-13

这个200W的MOSFET功率放大器,适用于多种应用,如吉他扩音器,麦克风或家庭影院。由于很多人喜欢,因为它使用MOSFET晶体管。MOSFET放大器的额定功率为200W功率4扬声器。频率响应在20Hz到80kHz(1dB),200W全功率信噪比总谐波失真小于0.1%。 样机的性能 输出功率(RMS):... 140W,8欧姆,200W,4欧姆 频率响应:20Hz - 80kHz - 1分贝 输入灵敏度:830mV ............为200W,4欧姆 失真:... 0.1%(20赫兹

2014-5-18

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管(如IRF830那种功率管) 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作,将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图,非稳态的另一半利用一个NPN晶体管,使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大,驱动LED闪烁。

2013-12-15

这是一个简单的5V/5W开关电源电路。采用了一片TOP210三端PWM开关集成电路。TOP210内含PWM控制器,功率MOSFET和各种保护电路。该电源交流输入电压范围为85~265V,当负载从额定负载的10%变化到100%,电源电压调整率和负载电流调整率可达+-5%。该电源还具有过压、超温保护和限流等功能。 TOP210的D脚为内部输出MOSFET的漏极,C脚为内部误差放大器和反馈电流输入脚,用来调整开关电源的占空比。S脚为内部MOSFET的源极,也是内部控制电路的公共端。 交流输

2009-6-1

该电路被设计成可伸缩鞭状天线的接收信号前置放大。前置放大器旨在涵盖中波频段大约550kHz到1650Khz。调谐电压通过一个10K电位器RV2连接到12伏电源供电。 RV1是增益控制允许微弱的信号被放大或强烈的信号被衰减。控制电压施加到TR1,双栅极MOSFET,通过门1所施加的信号电压的栅极2; 输入信号被经由器330uH线圈和两个KV1235变容二极管在MOSFET的输入,并通过在BF981 MOSFET的漏极端子的相同组件的双调谐。两个调谐电路提供在整个调谐范围高选择性。以有助于稳定性的

2014-5-6

这个电路类似于前文的一个,但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管,如IRF530,540,640,等等。较小的MOSFET可以使用,但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640,IRFZ44,IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点,只需要几个元件,电源首次接通继电器总是停用状态,并且不需要任何开关去抖。 在操作中,当继电器被去激活时,100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时,电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压(栅极电压)在约200毫秒将从

2014-3-17

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培,使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培(2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)或80安培(4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行,下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动,充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

2014-1-23

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而

2009-3-8

电路描述 这是用于控制小型直流电动机速度的电路,它工作得很好,采用脉冲宽度调制(PWM)技术。 原理 556双定时器集成电路的左半部分被用作固定频率的方波振荡器。该振荡器信号被馈送到其被配置为可变脉冲宽度单触发单稳态多谐振荡器(脉冲扩展)的556的右半边。单触发的输出是可变宽度的方波脉冲,该脉冲宽度设定与速度控制电位器上的控制电压输入。可变宽度的输出脉冲导通和截止的IRF521 MOSFET晶体管。在MOSFET放大该信号的电流,使得它也足以控制一个小型直流电动机。311比较器用于当控制电压低

2014-3-3

TOP2XX系列IC是一类将控制电路和功率开关集成在一起的三端开关电源芯片。这类芯片的封装形式为TO-220,管脚名称及功能如图(a)所示,它们的内部设有振荡器、PWM比较器、误差放大器、逻辑电路、高耐压MOSFET输出开关管以及限流、欠压锁定电路和过压、温度保护电路。改变注入控制极C(1脚)的电流即可控制芯片内输出MOSFET开关的占空比。 图(b)所示为TOP204的典型应用电路。该电源的技术特点是输入电压为交流85~265V;输出电压为15V2%;额定输出功率为30W;输出电压纹波不

2009-3-6

VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(108W)、驱动电流小(0.1A左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

2009-5-22

当电路检测到电话线已被切断时,它激活一个MOSFET可用于驱动继电器,马达等,也可以连接到一个安全系统。连接电话时需要注意极性,因为电路检测电话线路电压作为判别依据。 配件 R1,R2,R322兆1/4 W电阻 R42.2兆1/4 W电阻 C10.47F的250V电容 Q12N3904三极管 2N2222 Q22N3906三极管 Q3IRF510功率MOSFET D11N914二极管 负载见注意事项 备注 负载可以是一个继电器、灯、电动机等的电路,也可以连接到一个安全系统,电话线路被切断的情

2014-3-13

本文介绍一种成本低廉的无变压器开关电源电路,该电源电路输出直流电压 V0=12V,最大负载电流 I=100mA。 电路如下图所示,220V的交流电压经VD半波整流和电容C2滤波,为功率开关管 MOSFET(VT1)的栅极和开关晶体管VT2的集电极提供直流工作电压。R 1、RP与电容C1组成 RC 移相网络,VD3 是为电容 C1 对地充、放电而设置的。功率开关 MOSFET 的导通与关断,受小信号晶体管 VT2 的控制。在交流电压 VAC 的正半周,通过 R1 、 RP 使 VT2 导通。在

2009-2-11

下面的触摸开关电路点亮20瓦的灯,当触点被触及,皮肤电阻约为2兆欧或更少。在左侧的电路采用了功率MOSFET的导通时,源极和栅极之间的电压大约是6伏。MOSFET的栅极不汲取电流,从而在所述栅极上的电压将是电源电压的一半或6伏,当跨越触摸接触电阻等于源极和栅极之间的固定电阻(2兆欧)。 右边的电路使用了三个双极型晶体管与引用到电源的负极或接地端的触摸接触完成相同的结果。因为双极型晶体管的基极汲取电流,电流增益通常小于200,三个晶体管通过高增益放大将触摸接触产生的微安级电流放大到所需要的几安培

2014-3-13

本文介绍的开关电源输出直流电压V0=12V,最大负载电流I=100mA。电路很简单,显著的特点就是没有开关变压器,因此这个电路是与市电直通的没有隔离,制作调试应注意安全! 电路图如上所示。220V的交流电压经VD2半波整流和电容C2滤波,为功率开关管MOSFET(VT1)的栅极和开关晶体管VT2的集电极提供直流工作电压。R1、RP与电容C1组成RC移相网络。VD3是为电容C1对地充、放电而设置的。功率开关MOSFET的导通与关断,受小信号晶体管VT2的控制。在交流电压VAc的正半周,通过R1、

2008-9-9

我使用一个12V的20W的卤素灯(MR16)在我的自行车灯系统4.2ah SLA电池。电池在额定功率只有有限的寿命,所以我设计了这个便宜的调光器减少电池消耗,允许更长的骑行在夜间。一个简单的基于555定时器电路和MOSFET开关Q1,它通过脉冲宽度调制的12V电源灯。555(IC1)连接作为一个自由运行的振荡器,通过5位旋转开关(S1),选择不同的占空比调整灯光亮度。开关第三挡位置绕过电子线路直接连接灯和电池。这给出约7W,13W、20W三个功率水平。场效应管IRL530N导通电阻只有0.1欧姆

2014-5-21

这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制(PWM)电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET,正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路,正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流,IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET,如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至

2014-3-3

该电路用于调节从直流输出风力发电机给铅酸电池充电。它在闲置时功耗最低,风力发电机提供有效输出电压时给蓄电池充电。电池充满后过剩电量被转移到一个较大的负载电阻器,在寒冷气候下使用时所产生的热量可以用来保持电池温暖。 该电路的功能切换遵循先合后断原则。这确保了风力发电机的输出端要么连接电池,要么连接负载电阻,不会产生高电压瞬变,保护MOSFET晶体管。 该电路的工作电源由12V蓄电池提供。78L05稳压IC输出5V电源提供给逻辑电路。电压倍增器电路是由由一个触发器在一个4013的CMOS集成电路制

2014-1-28

25W 场效应晶体管(MOSFET)音频放大器电路 电路图 零件: R1,R4 = 47K 1/4W电阻 R2 = 4K7 1/4W电阻 R3 = 1K5 1/4W电阻 R5 = 390R 1/4W电阻 R6 = 470R 1/4W电阻 R7 = 33K 1/4W电阻 R8 = 150K 1/4W电阻 R9 = 15K 1/4W电阻 R10 = 27R 1/4W电阻 R11 = 500R 1/2W金属陶瓷微调 R12,R13,R16 = 10R 1/4W电阻 R14,R15 = 220R 1/

2013-11-14

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;

2009-5-22

KF4054是一个完整的恒流恒压线性充电管理IC,用于对单节锂电池和锂聚合物电池进行充电控制。KF4054采用SOT-23-5的贴片封装。其外形和管脚排列如图所示: KF4054只需很少的外部元件,加上其小外形封装使得KF4054非常适合便携式应用。 KF4054的特点: 充电电流可编程,最高可达800mA 无需外接MOSFET、感应电阻和二极管。 带过热保护的恒流恒压充电使充电速度更快而无需担心过热 可从USB接口直接给单节锂离子电池充电 预设4.2V充电电压,精度达1% 关

2009-5-10

NCP1200内部电路工作于固定的40kHz或60kHz,控制器用来驱动像IGBT或MOSFET之类的低栅极电荷量的器件,自身只需很小的运行功率。由于采用电流模式控制,NCP1200极大地简化了具有优异的音频敏感性和固有的逐脉冲控制的,可靠的廉价离线变换器的设计。 当电流设置点降到低于给定值时,例如当输出功率需要量减小时,该集成电路自动地进入所谓跳周期模式,以便在轻负载条件下达到极好的效率。因为这种情况发生在低峰值电流条件下,所以不会产生听得到的噪声。该集成电路由直流干线自行供电,因而不需要

2009-5-15

美国硅通用半导体公司(Silicon General)推出的SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525系列PWM控制器分军品、工业品、民品三个等级。下面我们对SG3525特点、引脚功能、电气参数、工作原理以及典型应用进行介绍。 SG3525是电流控制型PWM控制器,所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反馈电流来调节脉宽的。在脉宽比较器的输入端直接用流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比较,从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。由于结构上有电压环和电流

2009-6-18

STA500四重半桥功率芯片特性参数: 封装:Power SO-36 输出功率:在VCC=30V和HD=10%和8的负载下,输出230W的功率。 内部MOSFET能承受40V的DC电源电压, 在ID=1A下的导通电阻RDS(ON)仅约0.2, 当结温达到130℃以上时,履行热告警和热保护,同时还具有门限电压是7V的欠电压保护和典型值是5A的短路电流限制等功能。 采用ST公司四重半桥功率芯片STA500设计的60W立体声D类放大器如下图所示。 STA500采用{36}脚PowerSO-36封

2009-6-3

--我们都知道由交流发电机提供的电源它的频率是固定的,一般是低频的,如我国的交流电频率是50Hz,由于这种固定低频电源技术在现代高新技术的应用中有很多不利的因素,随着半导体技术、自动控制技术、计算机(微处理器)技术和电磁技术的发展,电源技术也高速发展,数字变频技术就是二十世纪八十年代发展起来并在很多领域被广泛应用的电源高新技术。 二十世纪八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合,出现了一批全新的全控型功率器件,首先是功率MOSFET(半

2009-2-9

一个小功率荧光灯驱动电路,不需要任何特殊的组成部分。它使用了一个普通的120V到6V降压变压器,12V电源工作产生大约350V来驱动荧光灯,无需预热灯丝。 配件 C1100UF 25V电解电容 C2,C30.01UF 25V瓷片电容 C40.01UF 1KV瓷片电容 R11K 1/4W电阻 R22.7K 1/4W电阻 Q1IRF510 MOSFET U1TLC555定时器IC T16V300毫安变压器 LAMP4W荧光灯 备注 Q1必须安装在一个散热片上。 一个240V到10V的变压器会更

2014-3-4

这是一个用于驱动日光灯的电路,由10~20V的直流电源供电。电路如下所示: 工作原理 初始时,Q1发射极驱动MOSFETQ2的栅极变高,使Q2导通。这时变压器初级线圈T1表现为一只电感,电流在电感中逐步斜升。当T1、Q2中通过的电流上升到0.62/Rs安培时(设计值约lA),Q3就导通。把Q1基极及Q4栅极电位拉向地电位,导致可编程单结晶体管Q4触发,这时Q4表现为一只可控硅并迅速驱动Q2的栅极为零。这时,存储在T1初级线圈中的能量便转向次级线圈,使日光灯受激。这时Q4仍维持原状,直至

2009-5-23

日落灯 开启电源,灯全亮,然后亮度逐渐减弱,约1.5小时之后完全熄灭,并直到电源被重新开启一直保持不亮。 LM324构成锯齿波发生器,随着3300uF电容充电过程,驱动场效应管的脉冲占空比越来越小直到完全没有。 日出灯 在这个电路中,一个120VAC灯慢慢地照亮,约20分钟后达到全亮。桥式整流器将120V脉动直流加载到MOSFET和60瓦的灯。一个6.2K 5瓦的电阻和齐纳二极管用于电压降至12伏直流,为运放电路供电。整流桥应为200伏和5安培以上。在操作中,一个700赫兹三角波形是在LM32

2014-3-13

这个欠压检测电路可作为现有电源的附加电路。该电路由现有的电源电压供应,它可高达36伏。一旦电压低于预设的水平输出将变为高。一个MOSFET的CA3140运算放大器用作比较器,输出可以驱动高达10mA的负载,以便可以直接驱动低电流LED。更高的负载需要额外的缓冲。 该电路是一个标准的比较器,非反相输入端设定为参考电压。一旦在反相输入端电压低于预设的值输出变为高,输出端很容易连接到一个发光二极管或继电器或驱动器的附加电路,虽然电路图中没有示出。上面的预设电压值被设置为10伏。一个实际的用途是12伏

2014-5-4

在结型场效应管中,栅极和沟道间的PN结是反向偏置的,所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开,便制成了绝缘栅型场效应管,其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同,绝缘栅场效应管有多种类型,目前应用最广泛的一种是以二氧化硅(SiO2)为绝缘层的金属一氧化物一半导体(Meial-Oxide-Semiconductor)场效应管,简称MOS场效应管(MOSFET)。它也有N沟道和P沟道两类,每类按结构不同又分为增强型

2009-3-8

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