97A6是1A/600V双向可控硅，在调光电路、灯光控制、温度控制等电路中广泛应用。该可控硅耐压高达600V，可以直接应用于220V控制电路，最大工作电流为1A，可以控制100W以下电阻性的负载。 97A6双向可控硅的管脚功能如图所示，它采用TO-92封装，外形和普通小功率三极管一样。 字面朝自己，管脚向下，从左至右依次是第一阳极T1，门极G，第二阳极T2

3CTS1 型双向可控硅元件主要用于调光、调速、变频电路等，是一种通用型器件。其阻断电压大于400V，通态压降小，触发可靠，采用TO-92 封装。 3CTS1 极限参数：（除非另有规定 Tamb= 25℃） 断态重复峰值电压（V DRM ）： 400 V 通态平均电流（I T(AV) ）： 1 A 通态不重复浪涌电流（I TSM ）： 10 A 结温（Tj）： 110℃ 贮存温度（Tstg）： -40℃~+110℃ 3CTS1 电参数：（除非另有规定 Tamb= 25℃） 通

对于使用TTL集成电路的电源电压稳定性要求是比较高的，额定5V供电的芯片略有增加工作电压就可能会损坏IC。单独使用熔断器并不能解决问题，因为一个瞬态高电压可能只需要几毫秒就足够将IC损坏。 在这个电路5V稳压由7805完成，简化电路。过压保护方案使用一个双向可控硅短路电源的设计。熔断器的熔断时间不是一个问题，因为该电源被双向可控硅短路后输出电压将为零。当输出电压超过5.6伏，齐纳二极管D2导通，双向可控硅被触发作为一个闭合的开关，使电路短路。当输出电压下降到零，保险丝被烧掉。由于双向可控硅从截

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红

该调光台灯不但亮度可调，而且调整后的亮度不会因电网电压波动而变化。 工作原理 电路如图1。由R2、RP1和C1组成的阻容移相电路决定可控硅的导通角。当C1两端电压经R2、RP1充电上升到双向触发管的导通电压时，双向可控硅VS被触发导通，当交流电过零时，双向可控硅自行判断，调节RP1可改变C1的充电时间，从而改变双向可控硅在交流电正、负半周时的导通角，以便得到需要的亮度。 图中R3、RP2及光敏电阻R4串联后和C1并联。在R3、RP2固定的情况下，分流的大小由光敏电阻R4的阻值来决定

该电路采用可控硅调压原理对市电进行降压，并通过自动控制稳定于此电压，然后通过升压变压器输出稳定的220交流电。因可控硅调压是通过对交流电波形的切削来完成的，所以输出的交流电波形会有失真，对电源质量要求高的用电器不适合使用本稳压器。 该稳压器的电路原理如图： 由双向可控硅组成交流调压电路。当市电电压小于220V时，双向可控硅SCR2控制极上的电压也随电网电压减小而降低，致使双向触发二极管VD2导通角变小，C1两端电压上升，从而使双向可控硅SCR1控制极电压升高，使输出电压上升。反之，输出

200W灯闪光器电路是由555集成电路产生脉冲，通过光耦合器驱动双向可控硅控制灯泡闪烁。闪光器由6－12V直流供电，闪光负载的功率取决于双向可控硅，调整可调电阻闪烁频率可以在1Hz到5Hz变化 电路图 ＰＣＢ板和元器件位置 实物 PCB的尺寸36毫米68毫米

用于220V单相交流电机的电子调速器，采用常见的双向可控硅调压方式调节交流电机的工作电压。 电路中的电感；电容C1、C3；电阻R2共同组成干扰抑制电路。 C1、C2=0.022微法 C3=100皮法 R1=10000欧姆 R2=62欧姆 W为470000欧姆电位器 2CTS为双向触发二极管 3CTS为双向可控硅，型号根据工作电流选取 电感用高频磁芯绕制，线径视工作电流而定 电路中元件的取值注意其工作电压

电路组成： 图中R1、C1、L为吸收网络，防止可控硅开、关时产生的尖峰脉冲对其它电气设备产生的干扰。VR、R2、C2、R3、C3组成可调积分电路，控制双向可控硅VS的导通角，从而控制输出电压。 元件选择： R、C参数如图所示。电位器VR为0.1W。L用0.3mm高强度漆包线在510mm的工字形磁芯上绕100匝，也可在0.5W／100K碳膜电阻上绕200匝。VD为DB3型触发管，双向可控硅用3A600V要求触发电流不能太大，BCR3AM的电极排列如图，但也有相反排列的，安装时应注意区分。 该电路用

该无触点电冰箱保护器元件少、成本低、体积小、无需调试，用双向可控硅替代了继电器。 工作原理 该保护器电路如图1。220V交流电源经过电容器C1降压，VD1半波整流、VDW稳压后供给时基电路555作为工作电源，接通电源约5分钟，时基电路的③脚输出端由低电平变为高电平，双向可控硅VS导通工作，给电冰箱供电。此时发光二极管LED点亮，表示供电正常。 元器件选择与制作 元器件选择见附表。 编号 名称 型号 数量 R1 电

日光灯要实现无级调光电路要稍微复杂一点，调光电路如图所示，它不仅有调压电路，还有高频振荡电路和灯丝变压器部分组成。 调压电路由双向可控硅VTH、双向触发二极管VDH及阻容移相电路组成。调节电位器RP，即可改变可控硅VTH的导通角，使加到日光灯管两端的工频交流电压发生改变，从而达到改变日光灯发光亮度的调光目的。 VT1要求采用3AX818型等锗中功率三极管，60，Iceo越小越好。VTH用1A／600V双向可控硅，如MMAC97A6型等。L为与灯管相配套的镇流器。灯丝变压器T1可用芯柱截面积为l

ＪＣＧ型ＰＳＳＲ，１ Ａ，２２０ Ｖ参数固态继电器作为调光控制器件的电路如下： ＪＣＧ型参数固态继电器中无触点开关是由单向或双向可控硅组成的，它接收触发电路送来的与交流电网同步的触发脉冲。由同步调制电源供电而工作的间歇振荡器产生脉冲群，该脉冲群中每一个脉冲的宽度都受到经磁隔离器隔离的控制绕组控制。其内部的整流电路、晶体管有源电阻以及无源阻抗驱动端共同确定并控制着控制绕组的状态。当控制绕组中流过较大的退磁电流时，间歇脉冲振荡器产生的脉冲宽度偏窄，从而不能触发无触点开关，使输出端断开，反之则闭合。

MOC3041是光电耦合器。内部包括一只砷化镓红外发光二极管和单片硅探测器，构成双向可控硅过零触发驱动程序，用于逻辑控制电路系统，如固态继电器，工业控制，电机，电磁铁和消费类电子产品等。 光电耦合器MOC3041管脚功能 1 。阳极 2 。阴极 3 。空 4 。输出１ 5 。空 6 。输出２

双向触发二极管是一种压敏负阻器件。在一般情况下，双向触发二极管呈高阻截止状态，当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时，它便会击穿导通。 1.双向触发二极管在可控硅调压电路中的应用 双向触发二极管触发双向可控硅的调压电路是触发二极管的一种典型应用电路。图14-41所示的就是采用这种电路构成的交流调压电路。 当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及

可控硅也称晶体闸流管（晶闸管），普通单向可控硅是一种PNPN四层半导体器件，内含三个PN结，有三个引出电极，分别是阳极A，阴极K和控制极G。而双向可控硅则为NPNPN 五层半导体器件，三个电极分别是门极G、第一阳极T1、第二阳极T2。下面介绍其工作理和电极的判定。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个PN 结，分析原理时，可以 把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成，其等效图解如图1所示 当阳极A 加上正向电压时，BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时，

芯片LC901原为电风扇程控集成电路，用于电风扇的风速调节。本电路利用其分档控制功能制作成具有弱光、中光、强光和关4挡控制的调光器，而且还具有0.5h、1h、2h和4h四种不同时间的定时控制。调光的功率驱动器件为可控硅，它受LC901的控制，本电路用到四个双向可控硅元件。

超高压发生器输出几十千伏超高压、应用于负粒子、点火、臭氧。 图１简易超高压发生器 图１的电路可输出几十千伏超高压。当接通电源时，电源经电阻R向C2充电至双向触发二极管2CTS导通，随即触发双向可控硅SCR导通。电容C被电源充满的电荷立即经可控硅SCR放电，升压变压器T次级感应出高压电。 当用汽车点火线圈作升压器，电容C1容量为0.1uF时，空气火花间长度为12mm。空气的绝缘度是3KV/mm，所以对应的高压是36KV。本电路耗电约为1W。

这个交替闪烁灯是以简单的互补对称多谐振荡器为控制信号，用可控硅驱动两组220V白炽灯交替闪烁，可用于闪烁警示灯或简单的彩灯装饰。其电路如下图所示。 工作原理：交流220V电源经阻容降压、整流、滤波后，在VD3两端得到稳定的3V直流电压，为对称互补多谐振荡器供电。多谐振荡器中的VT1、VT2两只三极管轮流导通，其集电极电流控制双向可控硅VS1和VS2工作，两组白炽灯将交替闪烁发光。 元件选择：电容C1为0.47/400V(涤纶电容)、C2为220/6V，C3、C4为50/16V。电阻R1

键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光，当轻触其中一个按键时，光线将由强变弱，轻触另一个按键时，光线便会由弱变强。 工作原理 电路原理见图1，VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源，由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管，防止场效应管栅极击穿。当按下S1时，由R1向C1充电，使栅极电压上升，可可控硅的触发电流上升，导通角变大，光线增加，当按下S2时，C1沿R2放电，栅极电压下降，可控硅的导通角变小，光线变暗。当S1、S2都放开时，由于MOS场效应

工作原理： 可控硅VT1、电位器P2及其外围电路构成双向可控硅触发电路，调节P2可以改变可控硅的导通角，从而使白炽灯上得到不同的工作电压。由电子表输出的控制信号经R3加至三极管VT的基极，使IC1 NE555 的 2 脚呈现低电平，从555集成电路的原理可知，此时其3脚输出高电平，此电压经R4限流降压后提供给音乐集成电路，此时音乐片得电工作，发出报警声音。 IC1的3脚输出的高电压同时加给继电器J，此时J得电吸合，台灯能够正常工作（注意：IC1的3脚和1脚图中被连接到了一起是错误的，正确的应不连