高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪） 下面的电路是用来确定电子元件的击穿电压，而不会造成永久性的损坏。该电路从零电压迅速爬升高电压，直到漏电电流达到预先设定的100微安时停止。通电时两个晶体管构成振荡器产生3或4 kHz（由0.02 uF的电容设定）的方波脉冲驱动对称输出级。输出级被连接到一个音频变压器或电源变压器。许多音频或电源变压器可以在这里工作，但较低的频率使用电源变压器更好。 变压器输出的高电压经过二极管和电容组成的电压倍增器进一步升高。两个电阻器和一个0.1 uF电容对高电压进行滤波和

稳压二极管工作原理 稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。 稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阻配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反

稳压二极管(又叫齐纳二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性和电路符号见图1。 稳压二极管是用于稳定电压的单PN结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO )：60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：50V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极电流(I C )：150mA 基极电流(I B )：50mA 耗散功率(P C )：400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.25V 特征频率(fr)：80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀，如C1815、2SC1815、KSC1815等，其特

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13001主要参数： 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路，封装形式：TO-3PIII，它的封装外形如图： 3DF50C的主要参数：（除非另有规定Tamb=25℃） 集电极-发射极反向击穿电压（V CEO ）200V 集电极-基极反向击穿电压（V CBO ）250V 发射极-基极反向击穿电压（V EBO ）7.0V 集电极最大电流（I CM ）50A 集电极最大耗散功率（P CM ）500W 最高工作结温（T JM ）150℃ 贮存温度范围（T STG ）-50 ~ +155℃

9014三极管（TO-92封装）管脚图 １、发射极２、基极３、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM ＝0.4W（Tamb=25℃） 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管，TO-92塑料封装，其外形和引脚排列如图： 引脚排列：从左至右依次为１、２、３脚 １脚：发射极； ２脚：基极； ３脚：集电极 9018三极管主要参数： 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

㈠三极管9013引脚图 ㈡三极管9013参数 最大耗散功率(P CM )：0.625W 最大集电极电流(I CM )：0.5A 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：25V 集电极-基极击穿电压(V CBO )：45V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.6V 特怔频率(fr)：150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 ㈢贴片9013引脚定义和封装参数

本电路采用W317可调稳压集成电路组成电路的核心，用两块W317并联工作从而使输出电源可达到4A左右。输出电压可以在1.25V至30V之间连续调节。 本电路中，由T2、D5、VW1、R5、R6、C10及继电器K构成自适应切换动作电路。当输出电路低于14V时，VW1因击穿电压不够而截止，无电流通过，T2截止，K不吸合，其触点K在常态位置，电路输入电流14V交流电。反之当输出电压高于14V时，VW1击穿导通，T2亦导通，继电器K吸合，28V交流电接入电路。这样可以保证输入电压与输出电压差不会大于1

一、耐压测试仪 耐压测试仪又叫电气绝缘强度试验仪或叫介质强度测试仪，也有称介质击穿装置、绝缘强度测试仪、高压实验仪、高压击穿装置、耐压试验仪等。将一规定交流或直流高压施加在电器带电部分和非带电部分（一般为外壳）之间以检查电器的绝缘材料所能承受耐压能力的试验。电器在长期工作中，不仅要承受额定工作电压的作用，还要承受操作过程中引起短时间的高于额定工作电压的过电压作用（过电压值可能会高于额定工作电压值的好几倍）。在这些电压的作用下，电气绝缘材料的内部结构将发生变化。当过电压强度达到某一定值时，就会使材

该电话灯电路如附图所示。L1、L2接到接线盒上用电话线并接，由于D1～D4的接入，L1、L2可不分极性随意连接。挂机状态时，馈电电压约为48V，经R1限流，使DW击穿，光耦IC导通，可控硅无触发电压截止，灯不亮。有电话来时，25Hz铃流经D1～D4整流为脉动直流，使光耦不断导通和截止。可控硅得到脉冲触发导通和截止，灯泡发出闪烁的光。摘机时，高内阻的馈电电压马上下跌到 12V，DW不能击穿，光耦IC截止，其④脚电压上升，可控硅触发导通，灯泡点亮。 为延长灯泡使用寿命，同时也为了省电，可控硅采

1固定电容器的检测  A检测10pF以下的小电容。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B检测10PF～0.01F固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R1k挡。两只三极管的值均为100以上，且穿透电流要些可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红

LED(发光二极管)体积小，光效高，用作市电指示灯是不错的选择。但一些初学者往往按照常规方法接于交流电回路中很容易被损坏，因为没有注意到发光二极管所承受的反向电压，结果导致被击穿损坏。 如上图所示的两种电路，是分别工作于220V与110V两种交流电压的参数，LED的平均工作电流在10毫安左右，适合任何LED使用。 电路中的二极管D1(1N4148)有两个作用，一是给电容C1提供一个半周的充放电回路（另一半周通过LED），二是为防止LED1不被反向电压击穿。可见如果将D1也换成LED，电路耗电不会

此电话防盗报警器能够监测并防止他人非法盗用你的电话线路。当有人在你的电话外线上并机盗打时该报警器就发出干扰信号，使盗用者不能拨号，并用声光向主人提示有人盗打电话。 工作原理： 平时邮局程控机在外线上送出约50V 的待机电压，经 D1-D4极性转换上边为正极，D5击穿经 R2 使 T1 基极电位升高，T1 导通 、T2 截止、T3 截止，由T4、T5 组成的振荡电路不工作。当盗用电话提机时，外线电压下降为9V左右，不能使 D5 击穿，T1 因无偏压而截止，T2基极电位升高导通。 T2

温度变化1℃所引起稳压二极管两端电压的相对变化量即是稳压二极管的 温度系数 众所周知，稳压二极管在使用中一定要串联限流电阻，否则将被烧毁。稳压二极管的最大工作电流（最大工作电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流）受稳压管最大耗散功率（指电流增大到最大工作电流时，管中散发出的热量会使管子损坏的功率）所限制。 如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化。一般说来稳压值低于6V属于 齐纳击穿 ，温度系数是负的；高于6V的属 雪崩击穿 ，温度系数是正的。 温度升高时，耗尽层减小，耗尽

描述 齐纳二极管（稳压二极管）击穿电压（稳定电压）测试需要高于击穿电压的小电流电压源，本测试器采用一个555芯片构成振荡器，然后将输出脉冲升压至一百多伏进行测试。 笔记 使用单一的555定时器IC和一个小变压器产生高电压，该电路将测试电压额定值高达50VDC的齐纳二极管。555计时器用于在非稳态模式，在引脚3的输出驱动一个小的音频变压器如LT700。这具有1K的初级阻抗和8欧姆的次级阻抗。用于反向提升交流电压到120伏左右。由1N4004二极管整流，由2.2U电容器滤波，得到约150伏直流。连

10kV架空线路的特点是农网线路多、供电半径长、全部为放射式供电线路。经过近年来的农网改造，抗台风及防雷能力得到增强，但10kV架空线路事故仍时有发生，本文就10kV架空线路的常发事故进行分析，并对10kV架空线路的反事故措施进行探讨，以求提高10kV架空线路的安全运行水平。 一、10kV架空线路的常见事故及原因分析 根据运行经验，10kV架空线路的常见事故有如下几种： 1.雷击事故 雷击10kV架空线路事故有很多种，有绝缘子击穿或爆裂、断线、配变烧毁等。雷击事故，固然与雷击线路这客观原因有较大

这是一个简单的齐纳二极管测试仪，测试的齐纳二极管的击穿电压高达120伏特。这个电路的主要优点是它的工作电压为6V直流电，消耗小于8mA电流。该电路可以安装在9V电池箱中。盒子的三分之二可用于四个1.5V电池，剩下的三分之一足够容纳该电路。 在这个电路使用一个初级230V，次级18V带中心抽头500mA的常用变压器，初次级反过来用，实现升压的作用。晶体管T1（BC547）被配置为一个振荡器，驱动变压器得到所需电压。输出的交流电压通过二极管D1和滤波电容器C2转换为直流，用于检测齐纳二极管。R3是

如图所示为220V电源限流保护装置，在过载时自动切断电源，几分钟后又自动恢复供电，如果过载负荷仍未解除，则重复此过程直至负荷正常。 该电路由负载电流检测电路、电子开关、单稳态定时电路、继电器控制电路等组成。 负载电流检测电路由互感器B和D1、C1、W1组成，用以检测电路的负荷情况。电子开关由BG1、DW1和R1组成，其受检测信号控制。由555定时器元件和R3、C4等组成的单稳态定时电路的定时时间为td=1.1R3C4，图示参数对应的时间约为4分钟。 当用电超过负荷时，稳压管DW1击穿，BG1饱和

2SC2482是东芝NPN型外延型小功率高压开关三极管，它主要用于高压开关和放大器应用、彩电行驱动应用、彩电色度输出应用等。 2SC2482特点 高击穿电压：V CEO = 300 V 小集电极输出电容：Cob= 3.0pF（典型值） 推荐用于彩色电视色度输出和行输出的驱动放大。 2SC2482外形尺寸参考数据 2SC2482绝对最大额定值（Ta = 25℃） 集电极-基极电压 V CBO =300V 集电极-发射极电压 V CEO =300V 发射极-基极电压 V EBO =7V 集电极电流

3DD1545硅NPN型高反压低频大功率三极管， 主要应用于彩电开关电源。其特点如下： 1、击穿电压高漏电流小 2、开关速度快 3、饱和压降低 4、电流特性好 5、封装形式：TO-3P(H)IS 极限值： 电参数： 特性曲线：

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管，可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点，采用TO-92MOD封装，其外形和管脚排列如图所示： 3DG2383(2SC2383)极限参数：(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示： 3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下： 耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃) 最大集电极电流I CM =20mA 最高结温T JM =175℃ 集电极-基极反向击穿电压BV CBO ： (IC=100A) 3DG6A30V; 3DG6B45V; 3DG6

TDA8359J：全桥场偏转输出电路 TDA8359J是用于对应25至200Hz场频的90及110色彩偏转系统的功率电路，也可用于4：3及16：9的显像管。此IC有一个场偏转输出电路，可作为一个高效G级系统运行。在单一正电压供电的情况下，全桥输出电路允许偏转线圈直流耦合。 此IC采用低电压DMOS（LVDMOS）处理过程来制造，其内部包含双极性、CMOS及DMOS器件。由于没有二次击穿问题，输出级可使用DMOS三极管。 TDA8359J引脚功能 在TCL **机型上测定 序号 符号

一般直流日光灯采用分立元件组成，而这个电路由TWH8751功率开关加几个外围元件组成，电路简单、可靠、效率高，可用于停电时或野外照明。 工作原理 电路见图1。利用TWH8751作自激振荡和功率开关。R1为限流电阻，R2、C1决定振荡频率，C2用于稳定电源电压。振荡变压器初级的振荡电压，在次级感应出更高的电压，击穿日光灯管内汞蒸汽，使日光灯点亮发光。 元器件选择与制作 元器件清单见下表。 编 号 名 称 型 号 数 量 R1 电

图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数 ： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目

上电延时继电器 下面是上电延时继电器电路，它接受一个普通的双极晶体管的发射极/基极击穿电压的优势。一个2N3904晶体管的反向连接的发射极/基极结被用作8伏的齐纳二极管，其产生更高的导通电压为达林顿连接的晶体管对。大多数任何双极晶体管都可以使用，但是齐纳电压将在约6至9伏的变化取决于所使用的特定的晶体管。时间延迟是使用47K电阻和100uF的电容大约7秒且可以通过减小R或C值降低。较长的延迟可以用一个更大的电容来获得，定时电阻可能不应该超过47K。该电路应与大多数任何12伏直流继电器工作，具有7

整流二极管通常应用于电源电路中，利用其单向导电性将交流电转换成直流电。 整流二极管和普通二极管的区别是：整流二极管的PN结面积较大，故结电容比较大，不适合在高频条件下工作，同时正向电流比较大，反向击穿电压比较高，适合于大功率、高电压下工作。目前整流二极管基本为由硅材料制造，稳定性好，比较耐高温。 整流二极管P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（硅管为0.7

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线 两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。 在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极