功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-HoleMount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO（TransistorOutline，晶体管封装）为主要形式，而SMD形式的，以有引脚的为主要形式，IR（InternationalRectifier，国际整流器）开发的DirectFET封装则是其中的

该音频功率放大器可在4到16欧姆扬声器提供高达200W的一流音质。工作电压为24和36V之间，最大5A电流，频率响应是从20到20000赫兹。请把晶体管和集成电路固定牢固，单独安装足够面积的散热器。 散热器注意保持绝缘，不能有任何电气连接！晶体管必须和散热器良好接触并固定牢固！晶体管是这个大功率放大器的重要元件，产生热量比较多。 200W功率放大器的电路原理图 电源应足够强大以满足放大器的功率消耗，最大电流可以高达5A。 该放大器输入灵敏度约500至800mV。因此，连接输出电平较低的声源，有必

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管，可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点，采用TO-92MOD封装，其外形和管脚排列如图所示： 3DG2383(2SC2383)极限参数：(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

这是一个6米波段发射机RF功率放大器（50兆赫），100W的输出。它曾经与我的FT-736R和10W驱动为6米SSB DX。信息来自日本CQ杂志。东芝射频双极功率晶体管被用在了电路中。如果你想构建该RF放大器，使用双面印刷电路板是更好的办法，增加了接地和当前的传输功率，发射功率可以调整到120W。 射频功率放大器原理图 射频功率放大器（功率晶体管2SC2782，频率50MHz）外观 射频功率放大器右视 射频功率放大器俯视 射频功率放大器左视 射频放大器的参数： 输入功率：10W 输出功率：100

垫高零电位的高输出电压集成稳压电源(CW200) 高输入电压集成稳压电源电路(CW200) 用PNP型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源 用NPN型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源 负输出电压集成稳压电源(CW200)

通过使用一个额外的功率晶体管共享总电流的一部分该LM317T输出电流可以增加。 连接在晶体管发射极和基极的电阻限制最大电流。在下面的图中，总电流被限制在大约4.3安培。此稳压电路在满负荷运行时，输入电压需要高于输出电压约5.5伏。功耗大约23瓦，所以需要相当大的散热片，可能需要同时为调节器和功率晶体管散热。滤波电容的大小可以近似在C = IT / E其中，I是电流，T是半周期时间（8.33毫秒，在60赫兹），而E是下降的电压将发生在一个半周期。负载电流在4.3安培时为了保持低于1伏的电压纹波，一

该放大器可工作在非常高的电源电压，使用一个IC和两个功率晶体管。 该电路由一个TDA2030A集成电路放大器和两个功率晶体管构成。工作电源12V至44V。 R1-R3, R7 = 100 k R6 = 8,2 k R4, R5, R8, R9 = 1,40 1% R10 = 1 C1 = 470 nF C2 = 10 F/63 V C3 = 4,7 F/63 V C4, C5, C7 = 220 nF C6 = 2200 F/50 V C8 = 1000 F/50 V D1, D2 = 1N4

彩电集成电路TDA16846：开关电源控制集成电路 TDA16846是菲利浦公司1998年推出的优化开关电源控制集成电路，它的工作频率既可采用固定方式（备用模式的最低频率20kHz），也可采用同步或自由调整式的工作模式。 为了获得轻负载时的低功率损耗，其开关频率可随负载的变化连续地调整。此外，为减轻对功率晶体管的冲击，它启动电流小、电压低，它还具有初、次级电压的过压和欠压保护，功率晶体管的过流保护，另外还设置了两个备用的对故障检测用的保护端口，对开关电源输出电压既可通过其内部的误差放大器，也可通

描述 一个基本的镍镉电池充电器使用一个单一的中等功率晶体管。 笔记 这个简单的充电器采用单个晶体管作为恒流源。 横跨一对1N4148二极管的电压偏置BD140中功率晶体管的基极。 跨越二极管，晶体管和正向电压降的基极 - 发射极电压是相对稳定的。 充电电流是约15毫安或45毫安与开关闭合。 这最适合1.5V和9V充电电池。 变压器应该有12V AC的二次额定值0.5安培，主要应该是220/240volts欧洲或120volts AC北美。 警告 请小心使用这个电路。 使用电压表来观察正确的极性

12伏电源100V/60Hz升压转换电路 下面是一个12伏电源供电产生超过100伏低电流的简单升压电路装置。 两个晶体管可能是2N4401和2N4403或类似的低功率三极管，换用更高功率三极管则可以驱动更重的负荷。 如果有更多的负载需要，两个10欧姆的发射极电阻换成3.3欧姆。当驱动功率晶体管，可以增加一级缓冲驱动或增加两个门电路和电阻来实现。 请注意，这两个驱动器门是简单地串联两个220欧姆限流电阻然后并联输出。 变压器是一个普通的变压器，但选择稍低于电源电压的次级电压将给予更高的输出电压。

此电源是专为业余无线电爱好者（HAM）使用而设计，已运作超过10年。 它的设计非常简单，全部由分立元件组装而成，最昂贵的元件是600VA环形变压器，它可以由其它类型变压器所取代，只要它具有1720V输出电压，并且功率能够满足需要。 稳压参考电压是由7.5V稳压二极管得到的（6V88V2），由R5、VR2和R6组成分压器监测输出电压变化并传输给Q2，经过达林顿放大器Q3，比较电压输出的驱动器Q4和4个NPN型功率晶体管2N3771控制输出电压。 滤波电容47毫法(mF)，也就是47000微法(u

许多发射机电路输出功率是非常低的，因为没有功率放大级。这里描述的发射机电路具有使用2N3866射频功率晶体管的功率放大级，放大振荡器的FM信号，以增加输出功率到250毫瓦。输出信号经由50欧姆的同轴电缆连接到平面天线或多单元八木天线，发射距离高达约2公里。发射器的振荡器是围绕BF494晶体管T1构建。它是一个基本的低功率可变频率的VHF振荡器。发射器的频率由音频信号控制的变容二极管容量改变，以提供频率调制。振荡器的输出是大约50毫瓦。2N3866晶体管T2形成的VHF-A类功率放大器。它提高了所

下面所示的30瓦甚高频放大器能够将4－6瓦的输入功率提升到30瓦。该电路设计覆盖88-108MHz的调频广播频段。然而，电路在我的地方非常稳定，电路经过多级滤波器提供了一个干净的输出信号。 注意事项： 该电路的核心是2SC1946A甚高频射频功率晶体管。该晶体管是专门用于运行在设计频率高达175 MHz的，有很好的效果。 该放大器工作电流可以超过5安培。所有的线圈是由16gauge层合导线制成（或镀银铜线就能做到最好）和RFC可以是高频环形铁心的（如图所示），或6孔铁氧体bead.C3和R1构

一个很好的稳压电源，是通过优秀的LM317T可调稳压器芯片简单地增加一个PNP功率晶体管来实现。这样一来该电路能够提供至少2A安培40V的电源输出。 R1__3R9 1或2W电阻 R2__22R 1/4W电阻 R3__6K8 1/4W电阻 R4__220R 1/4W电阻 R5__4K7 1/2W电阻 C1__3300F 50V电解电容（或4700F 50V） C2，C5__100nF 63V涤纶电容器 C3__10F63V电解电容 C4__220F50V电解电容 D1__整流桥100V 4A

这是产生220伏交流输出的500W的DC-AC逆变器的电路图。12VDC到220V 50Hz的逆变电路将从12V汽车蓄电池的电源产生220V或110V交流电。该电路很容易制作，成本低。使用适当的变压器。输出（瓦特）是由您通过选择不同功率等级的变压器和功率晶体管决定。如果为需要120V交流电的电子装置供电，变压器改变为120V输出的类型。

这是用于从8欧姆扬声器产生1 kHz音调的基本555方波振荡器。 在左侧的电路，NPN中等功率晶体管放大来自振荡器的功率输出给扬声器，它比直接从555（限制200MA）提供了更多的电流。一个小电容是用在晶体管的基极，以减缓开关次数，减少由扬声器所产生的感应电压。频率为约1.44 /（R1 + 2 * R2）C，其中R 1（1K）比R2（6.2K）小得多，以产生一个接近矩形波。更低的频率可通过增加6.2K值来获得，更高的频率可能会需要一个较小的电容，R1不能减小到低于1K。更低的音量可以通过与扬声

下面的音频功率放大器基于2SC5200和2SA1943输出功率晶体管，可以提供高达700W输出功率。机械设计是比较简单的，晶体管被放置在两个冷却型材上，高度66毫米，宽度44毫米，整体长260mm。晶体管从印刷电路板的底部焊接。 技术参数： 输出：680W/2R，450W/4R，260W/8R 最小扬声器阻抗：2R 带宽：10-180000Hz/-3dB 最大允许电压：最大+ /-80V 熔断器：2个15A 最大输入灵敏度：1.1 V 压摆率：35V/us

垫高零电位的高输出电压集成稳压电源(BG602) 两个BG602输出电压叠加的集成稳压电源 高输入电压集成稳压电源电路之二(BG602) 高输入电压集成稳压电源电路之一(BG602) 用PNP型功率晶体管扩流的BG602集成稳压电源

采用复合晶体管扩流的BG602集成稳压电源 用NPN型功率晶体管扩流的BG602集成稳压电源 负输出电压集成稳压电源之一(BG602) BG602构成的低纹波集成稳压电源之一 BG602构成的高稳定度的集成稳压电源

CN3063是专为太阳能电池充电器设计的单节锂电池充电管理芯片。芯片内部包括功率晶体管，直接对锂电池进行恒流和恒压充电。充电电流可以用外部电阻进行设定，最大持续充电电流可达500mA，不需要另加阻流二极管和电流检测电阻。内部的8位模拟-数字转换电路， 能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑最坏情况，可最大限度地利用输入电压源的电流输出能力，非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。 CN3063只需要极少的外围元器件，并且符合USB总线技术规

CW117/CW217/CW317构成的用外接PNP型功率晶体管来扩展电流的集成稳压电源 CW117/CW217/CW317构成的 1OV输出的高稳定性集成稳压电源 CW117/CW217/CW317构成的0～30V连续可调的集成稳压电源 CW117／CW217／CW317高精度、高稳定性的 10V集成稳压器

CW1524/2524/3524是脉宽调制开关稳压电源控制器，双极型工艺，模拟、数字混合集成电路。内部电路包括：基准电压源、误差放大器、振荡器、脉宽调制器、触发器、两只输出功率晶体管及过流过热保护电路等。 CW1524/2524/3524的工作原理完全相同，区别在于工作温度不同（CW1524为I类军品，适于－55℃～＋125℃环境温度；CW2524为II类工业品，适于－40℃～＋85℃环境温度；CW3524为III类民品，适于0℃～＋70℃环境温度。）。 CW1524/2524/3524的输入电

该MC1723C是输出电压可调的稳压集成电路，可以提供150 mA的负载电流 ，如需更大电流输出能力，可加接外部功率晶体管扩流。MC1723C规定的工作温度范围是 0 ℃~70℃。输入电压范围9.5V~40V；输出电压范围从2.0V至37V；输入输出压差3.0V~38V。MC1723C具有 0.01 ％的输入电压调节率和0.03 ％的负载电压调节率。IC自带可调节的短路保护电路。 MC1723C的两种封装外形和管脚排列如下： MC1723C的内部电路示意图如下： MC1723C典型应用电路：

这个电路使用一个按键步阶式调节直流电机转速，共十个档位。该电路包括两个定时器NE555集成电路和一个CD4017计数器集成电路。 定时器IC1配置为单稳态多谐振荡器，按压开关S1的瞬间产生一个脉冲输出。此脉冲传入一个十进制计数器进行计数，多次按压S1会有十个不同的输出。VR1到VR10可调电阻设置这些输出电平在不同的值。 十个输出每次只会有一个输出有效，这就改变了IC3振荡器在不同的占空比。IC3的输出用于驱动PNP晶体管T1（TIP32）并最终驱动末级功率晶体管T2（2N3055），电机在选

TDA7250为SGS-THOMSON公司出品的一款功放驱动IC，它的特性如下： 外围电路简单，制作方便； 支持电压范围宽：2V-90V（10V-45V）； 具有不需要温度补偿的零漂控制电路； 功率晶体管过流保护； 静噪/待机功能； 耗电量少； 低谐波失真：PO=40W、fo=1KHz时谐波失真=0.004% 输出功率60W/8、100W/4。 TDA7250应用电路图：

TL494是一种固定频率脉宽调制电路，它包含了开关电源控制所需的全部功能，广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关电源。TL494有SO-16和PDIP-16两种封装形式，以适应不同场合的要求。其主要特性如下： 主要特征 集成了全部的脉宽调制电路。 片内置线性锯齿波振荡器，外置振荡元件仅两个（一个电阻和一个电容）。 内置误差放大器。 内止5V参考基准电压源。 可调整死区时间。 内置功率晶体管可提供500mA的驱动能力。 推或拉两种输出方式。 TL494外形图 工作原理简述 TL494是一个

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

W723构成的可控型应用电路 如图所示是用W723多端可调式正集成稳压器组成的受TTL电平控制的可控型应用电路。图示电路的输出电压为Uo=Uref[R2/(R1 R2)]，式中，Uref为稳压器内部参考基准电压，其值约为7.2V。 W723构成的低电压并带有限流功能的扩流应用电路 W723构成的输出负电压的应用电路 如图所示是用W723多端可调式正集成稳压器组成的负电压输出应用电路。图示电路加上了一只锗大功率晶体管，稳压器输出端接入稳压二极管，其稳压值在 6～7V之间，电压的高低和锗大功率晶

三端稳压器增加输出电流（三端稳压器扩流电路） 增加一个大功率晶体管，所有的三端稳压器的输出电流都可以增加。负载电流主要由晶体管提供，流过其集电极-发射极引线，晶体管必须有足够的散热器。 通常，一个2N3055或TIP3055用于此电路，可以输出高达10安培电流，并创建一个10安培的电源。 三端稳压器软启动 软启动电源，即输出电压慢慢上升到额定值，而不是按下开关立即全电压输出。 三端稳压器也可以设计成软启动模式。只需在其调整端接入一个电容即可。 需要注意许多电路并不适合软启动，因此这种电源的应

该音频功率放大器电路简单，成本低。最佳的电源电压为50V左右，但这款电路能工作在从30到60V。最大音频输入电压大约是0.8 - 1V，输出功率为60W左右。末级晶体管2N3055可以是任何NPN型功率晶体管，但不要用达林顿类型。 放大器原理图 一些意见： 电容C1调节低频（低音），随着电容的增加，低频越来越响亮。 电容器C2调节更高的频率（高音），随着电容的增加，在较高的频率越来越响亮。 这是一个B类放大器，这意味着，推挽输出晶体管必需施加一个静态电流，即使是在没有任何输入信号。该电流